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申请/专利权人：乐金显示有限公司
申请日：2023-09-22
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118231408A
主分类号：H01L27/12
分类号：H01L27/12
优先权：["20221219 KR 10-2022-0178040"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：提供了薄膜晶体管、其制造方法以及包括其的显示设备。所述薄膜晶体管包括：基础基底；在基础基底上的氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的沟道保护层；以及栅电极，所述栅电极与氧化物半导体层间隔开并且与氧化物半导体层至少部分地交叠，并且所述沟道保护层包含碳。
主权项：1.一种薄膜晶体管，包括：基础基底；在所述基础基底上的氧化物半导体层；与所述氧化物半导体层接触的沟道保护层；以及栅电极，所述栅电极相对所述氧化物半导体层间隔开并且与所述氧化物半导体层至少部分地交叠，其中所述沟道保护层包含碳。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 乐金显示有限公司 薄膜晶体管、其制造方法以及包括其的显示设备
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