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申请/专利权人：南京大学
申请日：2024-03-14
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118234366A
主分类号：H10N50/10
分类号：H10N50/10;H10N50/20;H10N52/00;H10B61/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明公开一种基于台阶结构的零场自旋磁存储器及制备方法，涉及磁性电子器件技术领域。通过高温退火在具有定向偏差角度的切角衬底上形成确定取向的台阶结构，制备了自旋轨道转矩磁隧道结器件。该自旋轨道转矩磁隧道结器件的层次结构自下而上依次为金属氧化物绝缘层、重金属强自旋轨道耦合层、磁性垂直自由层、隧道势垒层、磁性垂直参考层、人工反铁磁钉扎层以及覆盖层。本发明实现了零场下的自旋轨道转矩电流驱动的磁化翻转。无需引入额外的辅助磁场，即可实现稳定的数据写入。制备过程简单，存储密度高，具有非易失性和出色的热稳定性，且具备强大的实用性和拓展性，为可控磁性存储器和逻辑器件领域带来广阔的应用前景。
主权项：1.一种基于台阶结构的零场自旋磁存储器，其特征在于，在台阶结构衬底上制备自旋轨道转矩磁隧道结结构，从下到上依次为金属氧化物绝缘层、重金属强自旋轨道耦合层、磁性垂直自由层、隧道势垒层、磁性垂直参考层、人工反铁磁钉扎层以及覆盖层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京大学 一种基于台阶结构的零场自旋磁存储器及制备方法
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