申请/专利权人：帝京半导体科技(苏州)有限公司

申请日：2024-05-27

公开（公告）日：2024-06-21

公开（公告）号：CN118224332A

主分类号：F16K3/20

分类号：F16K3/20;F16K3/02;F16K27/08;F16K27/04;F16K3/314;F16K3/316;F16K31/12;F16K37/00;F16K51/02;G01L5/00;H01L21/677

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.06.21#公开

摘要：本发明公开了针对CVD设备半导体蚀刻工艺用高真空隔离传输阀，涉及相关技术领域，解决了高真空隔离传输阀在因为气缸的伸缩移动，对传输口进行开关闭合操作时，存在一定的误差导致密封性较差，安全性低的问题。该针对CVD设备半导体蚀刻工艺用高真空隔离传输阀，包括阀座盖板、传输阀阀座、传输阀底座、密封底板和自动化开关机构，所述阀座盖板通过螺钉安装在所述传输阀阀座的顶部，且对所述传输阀阀座的顶部开口处进行密封。在本发明中，在带动阀板位置进行调节实现传输口的开关闭合时，阀板的移动均在一组竖直杆上进行且彼此不会产生冲突，在保证关闭状态下高真空隔离传输阀密封性的同时，有效减少传输阀的成本，在实际使用时更加的安全。

主权项：1.针对CVD设备半导体蚀刻工艺用高真空隔离传输阀，包括阀座盖板（10）、传输阀阀座（20）、传输阀底座（30）、密封底板（40）和自动化开关机构（50），其特征在于：所述阀座盖板（10）通过螺钉安装在所述传输阀阀座（20）的顶部，且对所述传输阀阀座（20）的顶部开口处进行密封，所述传输阀阀座（20）的内部开设有流通口（201），所述传输阀阀座（20）通过侧面安装有螺栓（202）安装在CVD设备侧面；所述传输阀底座（30）的底部通过导向组件（60）安装在所述传输阀阀座（20）的底部，所述传输阀底座（30）的外侧通过一体化组装组件（70）连接有传输阀阀座（20）和密封底板（40），所述密封底板（40）安装在传输阀底座（30）的底部，所述传输阀底座（30）的内部设置有自动化开关机构（50），所述自动化开关机构（50）延伸至传输阀阀座（20）的内部；其中，所述自动化开关机构（50）包括有：升降开关组件（80），所述升降开关组件（80）安装在所述传输阀底座（30）的内侧，且安装在所述密封底板（40）的顶部，所述升降开关组件（80）的顶部安装有阀板（90），所述阀板（90）的外侧套设有硫化橡胶密封圈（901）；横向密封组件（100），所述横向密封组件（100）安装在所述升降开关组件（80）的侧面，且带动所述阀板（90）进行横向移动，所述阀板（90）的侧面设置有侧支撑组件（110），所述侧支撑组件（110）安装在传输阀阀座（20）内部的一侧。

全文数据：

权利要求：

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