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申请/专利权人：深圳市奥力强科技有限公司
申请日：2024-04-07
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118228642A
主分类号：G06F30/30
分类号：G06F30/30;G06F18/2135;G06F111/06;G06F119/06;G06F119/12;G06F111/04
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本申请涉及芯片电路设计技术领域，公开了一种芯片电路的参数优化设计方法及系统。所述方法包括：对芯片电路中的Vccin网络进行参数识别和特征变量分析，得到目标G参数和目标S参数；采用矢量拟合算法，根据所述目标G参数和所述目标S参数构建所述芯片电路的目标状态空间模型；通过所述目标状态空间模型对所述芯片电路进行功率消耗分析和延迟时序分析，得到功率消耗特征和延迟时序特征；根据所述功率消耗特征和所述延迟时序特征对所述芯片电路进行双目标优化，得到帕累托最优解集；根据所述帕累托最优解集生成所述芯片电路的电路参数优化组合，本申请实现了芯片电路的自适应优化并且提高了芯片电路的参数优化设计准确率。
主权项：1.一种芯片电路的参数优化设计方法，其特征在于，所述芯片电路的参数优化设计方法包括：对芯片电路中的Vccin网络进行参数识别和特征变量分析，得到目标G参数和目标S参数；采用矢量拟合算法，根据所述目标G参数和所述目标S参数构建所述芯片电路的目标状态空间模型；通过所述目标状态空间模型对所述芯片电路进行功率消耗分析和延迟时序分析，得到功率消耗特征和延迟时序特征；根据所述功率消耗特征和所述延迟时序特征对所述芯片电路进行双目标优化，得到帕累托最优解集；根据所述帕累托最优解集生成所述芯片电路的电路参数优化组合。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市奥力强科技有限公司 芯片电路的参数优化设计方法及系统
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