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申请/专利权人：大连科利德光电子材料有限公司
申请日：2024-03-20
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118221717A
主分类号：C07F7/10
分类号：C07F7/10
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明涉及硅基前驱体的纯化领域，尤其涉及二异丙氨基硅烷的提纯方法，所述方法包括以下步骤：S.1提供一个精馏塔，所述精馏塔包括塔釜以及精馏柱，所述塔釜内部装载有第一杂质吸附剂，所述精馏柱内部填充有第二杂质吸附剂；S.2将粗品二异丙氨基硅烷加入到塔釜内部，使得粗品二异丙氨基硅烷与塔釜中的第一杂质吸附剂接触；S.3提升塔釜温度，使得二异丙氨基硅烷回流与精馏柱中的第二杂质吸附剂接触，收集从精馏柱中流出的馏分，得到电子级二异丙氨基硅烷。本申请通过二次吸附转化有效降低了二异丙氨基硅烷中的有机胺盐酸盐以及盐酸杂质。此外，本申请中的方法提纯方法简单，仅需要经过单塔精馏便可获得电子级二异丙氨基硅烷。
主权项：1.二异丙氨基硅烷的提纯方法，其特征在于，包括以下步骤：S.1提供一个精馏塔，所述精馏塔包括塔釜以及精馏柱，所述塔釜内部装载有第一杂质吸附剂，所述精馏柱内部填充有第二杂质吸附剂；所述第一杂质吸附剂为包含有多氨基化合物或聚合物；所述第二杂质吸附剂包括多孔纤维素基材，所述多孔纤维素基材的表面化学接枝有包含有卤素的烷烃链段；S.2将粗品二异丙氨基硅烷加入到塔釜内部，使得粗品二异丙氨基硅烷与塔釜中的第一杂质吸附剂接触；S.3提升塔釜温度，使得二异丙氨基硅烷回流与精馏柱中的第二杂质吸附剂接触，收集从精馏柱中流出的馏分，得到电子级二异丙氨基硅烷。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 大连科利德光电子材料有限公司 二异丙氨基硅烷的提纯方法
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