申请/专利权人：杭州电子科技大学

申请日：2024-04-28

公开（公告）日：2024-06-21

公开（公告）号：CN118231983A

主分类号：H01P1/208

分类号：H01P1/208

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.06.21#公开

摘要：本发明公开一种频率与带宽可单独调控的类FSIW双频带滤波器，包括顶层金属层、中间金属层、底层金属层、介质层、第一金属化通孔阵列、第二金属化通孔阵列、第三金属化通孔阵列、输入输出端口。利用模式复合波导腔体的第二模式和第三模式构建滤波器通带。通过调控第一矩形缺口宽度G调整类FSIW矩形腔第二模式谐振频率。通过调节中间金属层第二矩形缺口的长度可以在不改变第二模式谐振频率的情况下控制第三模式的谐振频率，从而实现不同的频比。通过调节耦合窗的大小和第三矩形缺口与类FSIW矩形腔侧壁的间距分别调节第二模式和第三模式的耦合强度，从而调节通带的带宽，双通带频比和带宽均独立可调，简化了双通带滤波器的设计。

主权项：1.一种频率与带宽可单独调控的类FSIW双频带滤波器，包括：介质层4；顶层金属层1，位于介质层4的上表面；底层金属层3，位于介质层4的下表面；中间金属层2，位于介质层4内；第一金属化通孔阵列5，连接顶层金属层1、中间金属层2、底层金属层3；第二金属化通孔阵列6，连接中间金属层2和底层金属层3；第三金属化通孔阵列7，连接顶层金属层1和中间金属层2；其中：所述第一金属化通孔阵列5围合成两个连通矩形；所述两个连通矩形共用一公共侧壁，且公共侧壁开有两个耦合窗；所述两个耦合窗位于公共侧壁的两端，且不接触；所述两个连通矩形的外侧壁各自开有第一窗口、第二窗口；所述耦合窗无金属化通孔设置，所述第一窗口内设有第二金属化通孔阵列6，所述第二窗口内设有第三金属化通孔阵列7；所述顶层金属层1包括第一微带线1a、第一矩形金属贴片1c；所述第一微带线1a的一端与第一矩形金属贴片1c的其中一侧边连接，另一端作为滤波器的输入输出端口；所述第一微带线1a落在第一窗口；所述底层金属层3包括第二微带线3a、第二矩形金属贴片3c；所述第二微带线3a的一端与第二矩形金属贴片3c的其中一侧边连接，另一端作为滤波器的输入输出端口；所述第二微带线3a落在第二窗口；所述底层金属层3与顶层金属层1形状相同且大小相等；所述顶层金属层1、底层金属层3、中间金属层2、介质层4和第一金属化通孔阵列5共同构建两个类FSIW矩形腔，两个类FSIW矩形腔通过公共侧壁上的两个耦合窗连通；其特征在于：所述中间层金属层2为开有两个第一矩形缺口2a、两个第二矩形缺口2b、一个第三矩形缺口2c的矩形金属贴片；所述两个第一矩形缺口2a分别位于两个类FSIW矩形腔的远离公共侧壁端内侧，所述两个第二矩形缺口2b的中心分别与两个类FSIW矩形腔的中心重合，所述第三矩形缺口2c位于公共侧壁处；所述第一矩形缺口2a与第二矩形缺口2b平行设置；所述第三矩形缺口2c的两端与类FSIW矩形腔侧壁存在间距。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州电子科技大学 一种频率与带宽可单独调控的类FSIW双频带滤波器

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