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申请/专利权人：沃孚半导体公司
申请日：2022-05-20
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118235251A
主分类号：H01L29/778
分类号：H01L29/778;H01L29/812;H01L29/772
优先权：["20210520 US 17/325635","20210520 US 17/325643"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：一种晶体管器件包括半导体外延层结构，其包括沟道层以及处于沟道层上的势垒层，该势垒层比沟道层具有更高的带隙。修改接入区域被设置在势垒层的与沟道层相对的上表面处。该修改接入区域包括比势垒层具有更低的表面势垒高度的材料。在势垒层上形成源极接触件和漏极接触件，并且在源极接触件和漏极接触件之间形成栅极接触件。该修改接入区域可包括在势垒层的与沟道层相对的上表面处的多个选择性修改接入区域。该多个选择性修改接入区域在势垒层上沿栅极接触件的长度隔开。
主权项：1.一种晶体管器件，包括：半导体外延层结构，其包括沟道层和处于所述沟道层上的势垒层，其中，所述势垒层比所述沟道层具有更高的带隙；处于所述势垒层的与所述沟道层相对的上表面处的修改接入区域；处于所述势垒层上的源极接触件和漏极接触件；以及所述源极接触件和所述漏极接触件之间的栅极接触件，其中，所述修改接入区域包括比所述势垒层具有更低的表面势垒高度的材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 沃孚半导体公司 具有修改接入区域的场效应晶体管
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