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申请/专利权人：泉芯集成电路制造(济南)有限公司
申请日：2020-12-01
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN112433442B
主分类号：G03F1/36
分类号：G03F1/36;G03F1/72;G03F7/20
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2021.03.19#实质审查的生效;2021.03.02#公开
摘要：本申请提供一种掩模版图案修正方法、装置、计算机设备及可读存储介质，涉及半导体制程技术领域。本申请通过对待修正掩模版图案中各掩模图案降序地进行对称性能排序，并依次针对得到的图案排序结果中每个图案次序，确定该图案次序处的校验掩模版图案以及包括该图案次序及其以前的掩模图案的漂移校准图案。接着，根据该漂移校准图案在该校验掩模版图案的真实曝光图形轮廓及仿真曝光图形轮廓中的轮廓分布状况，对该真实曝光图形轮廓进行漂移补偿后构建OPC模型，并通过构建的模型输出下一图案次序处的校验掩模版图案，从而实现步进式建模并在每次建模时通过轮廓漂移补偿提升图案矫正精准度，确保最终输出的目标掩模版图案能够达到预期曝光效果。
主权项：1.一种掩模版图案修正方法，其特征在于，所述方法包括：降序地对待修正掩模版图案中各掩模图案进行对称性能排序，得到图案排序结果；依次针对所述图案排序结果中每个图案次序，确定所述待修正掩模版图案在该图案次序处对应的校验掩模版图案以及漂移校准图案，其中所述漂移校准图案包括所述待修正掩模版图案中与该图案次序对应的掩模图案以及位于该图案次序之前的所有图案次序所对应的掩模图案；针对所述图案排序结果的第一个图案次序，该图案次序处的校验掩模版图案即为所述待修正掩模版图案；针对所述图案排序结果的除第一个图案次序以外的剩余的每个图案次序，该图案次序处的校验掩模版图案即为前一图案次序处通过构建OPC模型输出的的掩模版图案；获取所述校验掩模版图案的真实曝光图形轮廓及仿真曝光图形轮廓；根据所述漂移校准图案在所述真实曝光图形轮廓及所述仿真曝光图形轮廓中各自的轮廓分布状况，对所述真实曝光图形轮廓进行漂移补偿；采用补偿后的真实曝光图形轮廓进行OPC模型构建，并将构建的OPC模型所输出的掩模版图案作为所述待修正掩模版图案在下一图案次序处的校验掩模版图案；将与最后一个图案次序对应的OPC模型所输出的掩模版图案，作为所述待修正掩模版图案在修正后的目标掩模版图案。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 掩模版图案修正方法、装置、计算机设备及可读存储介质
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