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申请/专利权人：深圳大学
申请日：2022-10-12
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN115548177B
主分类号：H01L33/04
分类号：H01L33/04;H01L33/12;H01L33/26;H01L33/02;H01L33/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2023.01.20#实质审查的生效;2022.12.30#公开
摘要：本申请属于半导体技术领域，尤其涉及一种深紫外发光二极管及其制备方法。其中，深紫外发光二极管，包括由下自上依次叠层贴合设置的衬底层、缓冲层、N型接触层、量子阱有源区、电子阻挡层和P型接触层，还包括设置在所述P型接触层一侧的P电极和设置在所述N型接触层一侧的N电极；其中，所述量子阱有源区包括M2xGa2‑2xO3，其中，M选自Al、Sn或者Si，所述x为0.2～0.4。本申请提供的深紫外发光二极管通过各功能层的协同作用，使得深紫外发光二极管在波长为200～300nm深紫波段发光效率高，发光稳定性好，使用寿命长。
主权项：1.一种深紫外发光二极管，其特征在于，包括由下自上依次叠层贴合设置的衬底层、缓冲层、N型接触层、量子阱有源区、电子阻挡层和P型接触层，还包括设置在所述P型接触层一侧的P电极和设置在所述N型接触层一侧的N电极；其中，所述量子阱有源区包括M2xGa2−2xO3，其中，M选自Al、Sn或者Si，所述x为0.2~0.4；所述量子阱有源区的厚度为10~20nm；所述量子阱有源区中，Al、Sn或者Si在Ga2O3中的掺杂浓度为1E16～1E21cm-3。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳大学 深紫外发光二极管及其制备方法
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