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申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日：2020-10-26
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN112366135B
主分类号：H01L21/3065
分类号：H01L21/3065
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2021.03.05#实质审查的生效;2021.02.12#公开
摘要：本发明公开了一种硅原子层刻蚀方法，包括：步骤1：将待刻蚀的硅晶圆放入反应腔室；步骤2：向反应腔室内通入氧化氛围气体，将氧化氛围气体电离成等离子体，使硅晶圆裸露的表层原子发生氧化反应，生成固态的硅氧反应产物；步骤3：向反应腔室内通入刻蚀气体，将刻蚀气体电离成等离子体，对硅氧反应产物进行刻蚀，其中刻蚀气体形成的等离子体对硅晶圆的刻蚀速率小于对硅氧反应产物的刻蚀速率。本发明能够实现精确控制需要刻蚀的原子的层数，同时避免提前刻蚀。
主权项：1.一种硅原子层刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括：步骤1：将待刻蚀的硅晶圆放入反应腔室；步骤2：向所述反应腔室内通入H2O氧化氛围气体，将所述H2O氧化氛围气体电离成等离子体，使所述硅晶圆裸露的表层原子发生氧化反应，生成固态的硅氧反应产物，所述H2O氧化氛围气体电离形成的等离子体含有OH自由基；在所述步骤2中，偏置功率为0，所述反应腔室的压力范围为30mT~2T，激励电源的功率范围为500~5000W；步骤3：向所述反应腔室内通入刻蚀气体，将所述刻蚀气体电离成等离子体，对所述硅氧反应产物进行刻蚀，其中所述刻蚀气体形成的等离子体对所述硅晶圆的刻蚀速率小于对所述硅氧反应产物的刻蚀速率，所述刻蚀气体为CxFy，其中x与y为自然数且x与y的比值大于等于0.5；在所述步骤3中，采用的工艺参数包括：所述反应腔室的压力范围为10~80mT，激励电源的功率范围为200~600W，偏置电源的功率范围为50~300W。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 一种硅原子层刻蚀方法
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