龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：西部数据技术公司
申请日：2020-03-20
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN113196078B
主分类号：G01R33/09
分类号：G01R33/09;G01R33/00
优先权：["20190828 US 62/892,642","20191230 US 16/730,777"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2021.08.17#实质审查的生效;2021.07.30#公开
摘要：本公开整体涉及惠斯通电桥，该惠斯通电桥包括多个电阻器，该多个电阻器包括双自由层DFLTMR结构。该DFLTMR结构包括位于DLF侧的一个或多个硬偏置结构。另外，DFL的一侧上也可存在一个或多个软偏置结构。两个电阻器将具有相同的硬偏置材料，而另外两个电阻器将具有彼此相同但与前两个电阻器相比不同的硬偏置材料。硬偏置材料将提供反向磁化，这将提供反向偏置场，从而形成DFLTMR的两种不同的磁阻响应。
主权项：1.一种隧道磁阻TMR传感器装置，包括：第一电阻器，所述第一电阻器包括双自由层TMR结构即DFLTMR结构，所述DFLTMR结构具有由第一硬偏置材料构成的至少一个第一硬偏置结构，以及设置在所述DFLTMR结构与所述第一硬偏置结构之间的至少一个绝缘层；和第二电阻器，所述第二电阻器包括DFLTMR结构，所述DFLTMR结构具有由不同于所述第一硬偏置材料的第二硬偏置材料构成的至少一个第二硬偏置结构，以及设置在所述DFLTMR结构与所述第二硬偏置结构之间的至少一个绝缘层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西部数据技术公司 双自由层TMR磁场传感器
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号