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申请/专利权人：上海韬润半导体有限公司
申请日：2023-06-07
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN116667838B
主分类号：H03K19/003
分类号：H03K19/003
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2023.09.15#实质审查的生效;2023.08.29#公开
摘要：本发明属于集成电路技术领域，提供一种芯片内多种类型电阻复用的校准电路，包括：校准子电路，用于建立静态工作点，基于校准对象闭合校准开关，并输出对应的校准编码；写入子电路，与所述校准子电路、目标电路连接，用于基于所述校准编码，生成与所述校准子电路相等的电阻值，以对所述目标电路的电阻进行校准。本发明提供一种用于解决不同类型电阻调用或者复用时，对其进行量化校准的方案，以得到阻值、特性满足要求的精准电阻。
主权项：1.一种芯片内多种类型电阻复用的校准电路，其特征在于，包括：校准子电路，用于建立静态工作点，基于校准对象闭合校准开关，并输出对应的校准编码；所述校准子电路，包括：放大器，静态开关，第一MOS模块，第二MOS模块，校准电阻模块，比较器模块，反馈控制模块；所述放大器的反相输入端与所述静态开关的第一端连接，所述静态开关的第二端连接所述第一MOS模块，所述放大器的同相输入端输入参考电压，所述放大器的输出端与所述第一MOS模块、所述第二MOS模块连接；所述第一MOS模块中MOS的栅极与所述第二MOS模块中MOS的栅极链接，所述第一MOS模块中MOS的源极与所述第二MOS模块中MOS的源极链接，所述第一MOS模块的第一开关阵列与片内参考电阻模块连接；所述比较器模块的正输入端与所述第一MOS模块、所述片内参考电阻模块连接，所述比较器模块的向输入端与所述第二MOS模块、所述校准电阻模块连接；所述比较器模块的输出端与所述反馈控制模块连接；写入子电路，与所述校准子电路、目标电路连接，用于基于所述校准编码，生成与所述校准子电路相等的电阻值，以对所述目标电路的电阻进行校准。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海韬润半导体有限公司 一种芯片内多种类型电阻复用的校准电路
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