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申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日：2021-11-29
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN114141600B
主分类号：H01J37/32
分类号：H01J37/32
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2022.03.22#实质审查的生效;2022.03.04#公开
摘要：本发明提供一种半导体工艺设备及下电极腔室的温度控制方法，上述设备包括控制单元、吹扫单元和检测单元；其中，检测单元用于检测下电极腔室内部气体的当前温度和当前湿度；吹扫单元与下电极腔室内部连通，用于向下电极腔室中通入吹扫气体并调节吹扫气体的温度；控制单元用于根据基座的预设温度获取对应的目标露点温度，再根据目标露点温度和预设的与当前湿度对应的下电极腔室内部气体的温度和露点温度的对应关系，获取下电极腔室内部气体的目标温度；判断当前温度是否达到目标温度，若否，则控制吹扫单元调节吹扫气体的温度，直至当前温度达到目标温度，从而能够避免下电极腔室内部发生冷凝。
主权项：1.一种半导体工艺设备，包括工艺腔室、设置在所述工艺腔室中的基座、下电极腔室和调温单元，所述调温单元用于通过调温管路向所述基座中输送调温介质以调节所述基座的温度，所述调温管路部分位于所述下电极腔室中；其特征在于，还包括控制单元、吹扫单元和检测单元；其中，所述检测单元用于检测所述下电极腔室内部气体的当前温度和当前湿度，并发送至所述控制单元；所述吹扫单元与所述下电极腔室内部连通，用于向所述下电极腔室中通入吹扫气体并调节所述吹扫气体的温度；所述控制单元用于根据所述基座的预设温度获取对应的目标露点温度，再根据所述目标露点温度和预设的与所述当前湿度对应的所述下电极腔室内部气体的温度和露点温度的对应关系，获取所述下电极腔室内部气体的目标温度；判断所述当前温度是否达到所述目标温度，若否，则控制所述吹扫单元调节吹扫气体的温度，直至所述当前温度达到所述目标温度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备及下电极腔室的温度控制方法
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