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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日：2023-10-11
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN221201182U
主分类号：H01L29/861
分类号：H01L29/861;H01L21/329;H01L23/48
优先权：["20221026 US 63/381,044","20230217 US 18/170,785"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权
摘要：本实用新型提供了具有无掺杂连接的结构及制造方法。示例性的结构包括：基底；形成在基底中且具有第一导电类型的第一区；位于基底之上的上覆层；形成在上覆层中且具有第二导电类型的井区；横向相邻于井区且延伸穿过上覆层而与第一区电接触的导电插塞；以及位于导电插塞与井区之间的钝化层。
主权项：1.一种无掺杂连接结构，其特征在于，包括：基底；第一区，具有第一导电类型，且形成在所述基底中；上覆层，位于所述基底之上；井区，具有第二导电类型，且形成在所述上覆层中；导电插塞，横向相邻于所述井区且延伸穿过所述上覆层而与所述第一区电接触；以及钝化层，位于所述导电插塞与所述井区之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 无掺杂连接结构及单元
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