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申请/专利权人：法国原子能源和替代能源委员会
申请日：2023-12-22
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248729A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423
优先权：["20221222 FR FR2214258"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：一种FET微电子器件100，包括：半导体层120，半导体层120的第一区域122形成沟道；栅极110和栅极电介质层112或铁电存储器层，布置成抵靠第一区域；电介质间隔件114，布置成抵靠栅极的侧壁；源极116漏极118区，经由有源层的第二区域124电耦合到第一区域，第二区域在源极区漏极区与电介质间隔件之间延伸；其中，第二区域与第一区域形成连续层，并且第一区域形成半导体部分，使得栅极覆盖半导体部分的几个不同的面。
主权项：1.一种FET微电子器件100，至少包括：衬底102；半导体层120，包括至少一个第一区域122，所述第一区域122以鳍的形式形成半导体部分并且用作所述FET微电子器件100的导电沟道；静电控制栅极110；栅极电介质层112或铁电存储器层112，布置在所述静电控制栅极110与所述半导体层120的第一区域122之间，同时覆盖所述半导体层120的第一区域122的几个不同的面；电介质间隔件114，布置成抵靠所述静电控制栅极110的侧壁；源极116漏极118区，由所述半导体层120的第二区域124形成，经由所述半导体层120的第二区域124电耦合到所述半导体层120的第一区域122，所述半导体层120的第二区域124在所述源极116漏极118区与所述电介质间隔件114之间延伸；其中，所述半导体层120的第二区域124布置成不直接抵靠所述静电控制栅极110并且与所述第一区域122形成连续层；并且其中，所述半导体层120包括二维材料，所述源极116漏极118区中的每个区均装配有触点117，所述触点117有利地是金属的，布置在空腔150中，所述空腔150包括侧向壁150b和底部150a，所述半导体层120的第二区域124完全覆盖所述空腔150的侧向壁150b和底部150a，使得所述触点117的侧向侧壁117a和下端部分117b在所述空腔150中被所述半导体层120的第二区域124完全包围。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 法国原子能源和替代能源委员会 在导电沟道与源极区和漏极区之间包括较大接触表面的FET微电子器件
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