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申请/专利权人：昆明物理研究所
申请日：2024-03-16
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248717A
主分类号：H01L29/12
分类号：H01L29/12;H01L21/34;H01L29/786;H01L29/24
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明涉及红外探测技术领域，尤其涉及一种基于无毒材料与场效应晶体管结合的制备方法，从下至上分别由栅极、n型掺杂硅、二氧化硅绝缘层和上层结构组成，所述上层结构从左至右分别由源极、Ag2Te胶体量子点和漏极组成。实验证明，Ag2Te胶体量子点能与Si基CMOS读出电路集成的潜力，同时Ag2Te无毒，不溶于水，有较好的生物相容性，值得在场效应晶体管中推广。
主权项：1.一种基于无毒Ag2Te胶体量子点场效应晶体管的制备方法，其特征在于该晶体管包括六部分，从下至上分别由栅极、n型掺杂硅、二氧化硅绝缘层和上层结构组成，所述上层结构从左至右分别由源极、Ag2Te胶体量子点和漏极组成，其制备方法包括n型掺杂硅、二氧化硅绝缘层预处理、制备源极和漏极、制备Ag2Te胶体量子点溶液、Ag2Te胶体量子点沉积和制备栅极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 昆明物理研究所 一种基于无毒Ag2Te胶体量子点场效应晶体管的制备方法
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