龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
申请/专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日：2024-04-09
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248505A
主分类号：H01J29/02
分类号：H01J29/02;H01J31/04;H01J31/06;B82Y10/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明公开了一种超快纳米电子器件及逻辑电路，应用于半导体器件技术领域，包括：CMOS集成兼容的半导体基底；位于半导体基底一侧表面的绝缘介质层；位于绝缘介质层背向半导体基底一侧表面的导电功能层；导电功能层包括导电电极对，导电电极对包括至少两块导电电极，至少一个导电电极朝向另一导电电极一侧设置有尖端，尖端与另一导电电极之间形成有纳米空气沟道，纳米空气沟道的长度小于电子在空气中的平均自由程。通过剔除传统氧化硅绝缘介质功能层，大幅降低电离总剂量效应影响；通过利用导电材料代替半导体材料作为器件功能层，避免中子辐照效应导致的器件性能的衰变；通过采用导电结构避免了瞬时高能伽玛辐射产生光电流。
主权项：1.一种超快纳米电子器件，其特征在于，包括：CMOS集成兼容的半导体基底；位于所述半导体基底一侧表面的绝缘介质层；位于所述绝缘介质层背向所述半导体基底一侧表面的导电功能层；所述导电功能层包括导电电极对，所述导电电极对包括至少两块导电电极，至少一个导电电极朝向另一导电电极一侧设置有尖端，所述尖端与另一所述导电电极之间形成有纳米空气沟道，所述纳米空气沟道的长度小于电子在空气中的平均自由程。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国工程物理研究院电子工程研究所 一种超快纳米电子器件及逻辑电路
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号