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一种黄瓜源修饰的纳米材料及其制备方法和应用 

申请/专利权人:北京化工大学

申请日:2024-03-11

公开(公告)日:2024-06-25

公开(公告)号:CN118236487A

主分类号:A61K41/00

分类号:A61K41/00;A61K47/69;A61K47/46;A61K9/00;A61P17/02

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.25#公开

摘要:本发明公开了一种黄瓜源修饰的纳米材料的制备方法,步骤为:制备具有10nm以下尺寸的铜基金属有机框架纳米点Cu‑MOF;制备黄瓜源的细胞外囊泡EVs;Cu‑MOF与EVs按照5:1的质量比共混,在低功率密度下超声,超声后在37℃~40℃共孵育1~2小时,得到黄瓜源修饰的纳米材料NDs@EV。NDs@EV具有克服致密角质层屏障的能力,从而显著提高其透皮递送效率,在近红外激光照射下NDs@EV可有效产生丰富的活性氧,诱导过度增殖的成纤维细胞凋亡,NDs@EV在改善兔耳增生性瘢痕模型的外观,促进胶原纤维的凋亡和重塑方面显示出显著的治疗效果。

主权项:1.一种黄瓜源修饰的纳米材料的制备方法,其特征在于,制备步骤为:1制备具有10nm以下尺寸的铜基金属有机框架纳米点Cu-MOF;2制备黄瓜源的细胞外囊泡EVs;3将步骤1得到的Cu-MOF与步骤2得到的EVs,按照5:1的质量比共混,在低功率密度下超声,超声后在37℃~40℃共孵育1~2小时,得到黄瓜源修饰的纳米材料NDs@EV。

全文数据:

权利要求:

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