首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

一种亲水膜层及其制备方法 

申请/专利权人:江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司

申请日:2022-12-23

公开(公告)日:2024-06-25

公开(公告)号:CN118239695A

主分类号:C03C17/30

分类号:C03C17/30;C08F230/08;C08F220/20;C08F220/14;C08F220/18

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.25#公开

摘要:本公开的具体实施方式提供一种亲水膜层,所述亲水膜层是由基材接触单体α、单体β与单体γ的等离子体形成的等离子体聚合膜层;所述单体α为具有1个以上硅原子的有机硅单体,所述有机硅单体由硅原子与端基、或者硅氧骨架与端基组成,所述端基由氢原子、羟基、C1‑C4的烷基或C1‑C8的取代烷基中的至少一种与C1‑C8的不饱和烃基组成;单体β为含有亲水基团与丙烯酸酯结构的有机化合物,单体γ为含有疏水基团与丙烯酸酯结构的有机化合物。所述亲水膜层的水接触角在20°以下,具有良好的亲水性能、防雾性能与耐摩擦性能。

主权项:1.一种亲水膜层,其特征在于,所述亲水膜层是由基材接触单体α、单体β与单体γ的等离子体形成的等离子体聚合膜层;所述单体α为具有1个以上硅原子的有机硅单体,所述有机硅单体由硅原子与端基、或者硅氧骨架与端基组成,所述端基由氢原子、羟基、C1-C4的烷基或C1-C8的取代烷基中的至少一种与C1-C8的不饱和烃基组成;所述单体β具有式1的结构, 式1中,R1、R2、R3和R4分别独立的选自氢原子、C1-C4的烷基、C1-C8的羟基取代烷基、C1-C8的羧基取代烷基或C1-C8的氨基取代烷基;所述R1、R2和R3中至少一个选自C1-C8的羟基取代烷基、C1-C8的羧基取代烷基或C1-C8的氨基取代烷基,或所述R4选自氢原子、C1-C8的羟基取代烷基、C1-C8的羧基取代烷基或C1-C8的氨基取代烷基;所述单体γ具有式2的结构, 式2中,R5、R6和R7分别独立的选自氢原子、卤素原子、C1-C4的烷基或C1-C4的卤素取代烷基;R8选自C1-C8的烷基或C1-C8的卤素取代烷基。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 一种亲水膜层及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。