申请/专利权人:意法半导体国际公司
申请日:2023-12-21
公开(公告)日:2024-06-25
公开(公告)号:CN118248692A
主分类号:H01L27/092
分类号:H01L27/092;H01L27/02;H01L29/06;H01L29/41;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/84;H10B63/10;H10B63/00
优先权:["20221222 FR 2214265","20231215 US 18/541,497"]
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.06.25#公开
摘要:本申请涉及具有晶体管单元的电子器件。一种电子器件,电子器件包括第一晶体管的第一有源区;第一绝缘区,形成第一有源区中的第一绝缘;第一绝缘栅极,在第一有源区上方延伸并且形成第一有源区的第二绝缘;以及第一绝缘栅极接触,被耦合到第一绝缘栅极并且定位在第一有源区和第一绝缘区域二者上方,其中第一绝缘栅极接触将第一绝缘栅极耦合到电源轨。
主权项:1.一种电子器件,包括:第一晶体管的第一有源区;第一绝缘区域,所述第一绝缘区域形成所述第一有源区的第一绝缘部;第一绝缘栅极,所述第一绝缘栅极在所述第一有源区上方延伸,并且形成所述第一有源区的第二绝缘部;以及第一绝缘栅极接触,被耦合到所述第一绝缘栅极,所述第一绝缘栅极接触被定位在所述第一有源区和所述第一绝缘区域二者的上方并且横跨所述第一有源区和所述第一绝缘区域二者,其中所述第一绝缘栅极接触将所述第一绝缘栅极耦合到电源轨。
全文数据:
权利要求:
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