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申请/专利权人：华为技术有限公司
申请日：2022-05-18
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118251775A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本申请提供了一种铁电场效应晶体管、铁电存储器和制造方法，其中，铁电场效应晶体管包括硅基衬底、半导体层、铁电层和金属栅电极，该半导体层设置于硅基衬底和铁电层之间，硅基衬底的材料和半导体层的材料不同，该半导体层可以缓和硅基衬底和铁电层的晶格参数和热膨胀系数的差异，使得铁电场效应晶体管能够实现较高的保持性能。
主权项：一种铁电场效应晶体管，其特征在于，所述铁电场效应晶体管包括硅基衬底、半导体层、铁电层和金属栅电极，所述半导体层设置于所述硅基衬底和所述铁电层之间，所述硅基衬底的材料和所述半导体层的材料不同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华为技术有限公司 一种铁电场效应晶体管、铁电存储器和制造方法
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