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申请/专利权人：湘潭大学;北京大学
申请日：2022-07-01
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN115224191B
主分类号：H10N70/20
分类号：H10N70/20;H10B63/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2022.11.08#实质审查的生效;2022.10.21#公开
摘要：本发明公开了一种铁电超晶格多值存储器及其制作方法，包括一衬底，在衬底上具有源极、漏极以及由源极和漏极组成的栅窗口；在栅窗口中具有铁电超晶格结构，铁电超晶格结构由多层铁电层和沟道层组成，源极和漏极与铁电超晶格结构为端式接触；铁电超晶格结构上具有栅介质层，栅介质层上具有栅极。本发明通过采用二维铁电超晶格实现的多值存储器，实现了多值存储器，提高数据的运算效率，进而实现数据的高密度存储，具有广泛的应用前景。
主权项：1.一种铁电超晶格多值存储器件，其特征在于：具有一衬底，在所述衬底上具有源极、漏极以及由所述源极和所述漏极组成的栅窗口；在所述栅窗口中具有铁电超晶格结构，所述铁电超晶格结构由多层铁电层和沟道层组成，所述铁电层选自硫代磷酸铜铟（CIPS）或铪锆氧化物（HZO），所述源极和所述漏极与所述铁电超晶格结构为端式接触；所述铁电超晶格结构上具有栅介质层，所述栅介质层上具有栅极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湘潭大学;北京大学 一种铁电超晶格多值存储器件及其制作方法
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