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申请/专利权人：湖南蓝芯微电子科技有限公司
申请日：2024-03-05
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263370A
主分类号：H01L33/06
分类号：H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00;C30B29/40;C30B29/68;C30B25/18
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明涉及LED半导体技术领域，具体涉及一种AlN缓冲层上生长超晶格插入层的外延结构及制备方法。本发明的超晶格插入层，从下至上依次为BxAl1‑xN层和ByGAl‑yN层交替生长形成，其中：BxAl1‑xN层沿平行生长方向设置，B的组分含量从AlN缓冲层一侧向三维成核层一侧逐渐增大；ByGAl‑yN层沿垂直生长方向设置，B的组分含量从AlN缓冲层一侧向三维成核层一侧逐渐减少。通过调节超晶格中B的组分含量，可以使此超晶格较好的与AlN缓冲层和三维成核层的晶格相匹配，从而降低缺陷密度；形成与AlN缓冲层的应力方向相反的应力，从而降低由于AlN缓冲层的应力导致的外延片翘曲，有利于改善波长均匀性。
主权项：1.一种AlN缓冲层上生长超晶格插入层的外延结构，其特征在于，包括外延结构，外延结构包括蓝宝石衬底，以及依次位于蓝宝石衬底上AlN缓冲层、超晶格插入层、三维成核层、二维缓冲恢复层、U型GaN层、N型GaN层、应力释放层、发光层和P型层，其中：超晶格插入层，从下至上依次为BxAl1-xN层和ByGAl-yN层交替生长形成，其中：BxAl1-xN层沿平行生长方向设置，B的组分含量从AlN缓冲层一侧向三维成核层一侧逐渐增大；ByGAl-yN层沿垂直生长方向设置，B的组分含量从AlN缓冲层一侧向三维成核层一侧逐渐减少。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南蓝芯微电子科技有限公司 AlN缓冲层上生长超晶格插入层的外延结构及制备方法
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