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申请/专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日：2022-12-26
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263091A
主分类号：H01L21/02
分类号：H01L21/02
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明涉及半导体芯片生产领域，具体是一种晶圆外延片表面的晶格缺陷修复方法。本发明提供了一种晶圆外延片表面的晶格缺陷修复方法。本发明提供的方法使用氧化性气体如N2O或O2的等离子体对晶圆外延片表面进行处理，形成均匀的氧化层；使用氯基气体如BCl3的等离子体对氧化层表面进行处理，均匀地移除氧化表层；采用氯基气体与氟基气体的混合气体或氯基气体等离子体对材料表面进行刻蚀，能够有效地优化晶圆外延片表层外延生长过程产生的晶格缺陷或氧化斑造成的刻蚀缺陷和损伤，从而得到高均匀性与一致性的晶圆外延片；相对于现有技术，本发明的晶圆外延片表面晶格缺陷层去除效果更优。
主权项：1.一种晶圆外延片表面的晶格缺陷修复方法，其特征在于，包括以下步骤：S1采用氧化性气体对晶圆外延片进行等离子处理，使所述晶圆外延片表面形成氧化层；S2采用氯基气体对步骤S1中进行等离子处理后的晶圆外延片进行等离子处理，使所述晶圆外延片表面的氧化层被移除；S3采用氯基气体与氟基气体的混合气体或氯基气体对步骤S2中进行等离子处理后的晶圆外延片进行等离子处理，使所述晶圆外延片表面的晶格缺陷被修复。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏鲁汶仪器股份有限公司 一种晶圆外延片表面的晶格缺陷修复方法
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