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一种基于银锡硒、银锡碲相变材料的超表面光吸收器件 

申请/专利权人:西安交通大学

申请日:2024-03-15

公开(公告)日:2024-06-25

公开(公告)号:CN118244397A

主分类号:G02B5/00

分类号:G02B5/00;G02B1/00;G02B1/10;G02B1/14;G02B1/02

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.25#公开

摘要:本发明公开了一种基于银锡硒、银锡碲相变材料的超表面光吸收器件,包括器件单元,所述器件单元自下而上依次是衬底、反射层、介质层、相变层以及保护层;采用不同相变层厚度的不同器件单元周期性排列组合构成整体器件结构;所述相变层为银锡硒或银锡碲,银锡硒化学式为AgxSnySez,银锡硒化学式为AgxSnyTez,其中0x2,0y2,1z3。本发明通过银锡硒、银锡碲构成的器件可通过外部激励实现结晶化,直接产生金属共振,无需制备顶部金属层,避免了顶部金属层与相变层之间结合力差等问题。该器件还可以通过控制相变层厚度实现不同波长的光信号的调控。

主权项:1.一种基于银锡硒、银锡碲相变材料的超表面光吸收器件,其特征在于,包括器件单元,所述器件单元自下而上依次是衬底1、反射层2、介质层3、相变层4以及保护层5;采用不同相变层4厚度的不同器件单元周期性排列组合构成整体器件结构;所述相变层4为银锡硒或银锡碲,银锡硒化学式为AgxSnySez,银锡硒化学式为AgxSnyTez,其中0x2,0y2,1z3;银锡硒的晶体为立方相结构,其中铟原子与锡原子共同占据阳离子格点,硒原子占据阴离子格点;银锡碲的晶体为立方相结构,其中铟原子与锡原子共同占据阳离子格点,碲原子占据阴离子格点。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 西安交通大学 一种基于银锡硒、银锡碲相变材料的超表面光吸收器件

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