申请/专利权人:三星电子株式会社
申请日:2023-07-20
公开(公告)日:2024-06-25
公开(公告)号:CN118251013A
主分类号:H10B43/35
分类号:H10B43/35
优先权:["20221222 KR 10-2022-0182168"]
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.06.25#公开
摘要:提供了垂直NAND闪存装置。所述垂直NAND闪存装置可包括:多个单元阵列。所述多个单元阵列中的每个可包括:沟道层;电荷捕获层,在沟道层上;以及多个栅电极,在电荷捕获层上。电荷捕获层可包括包含金属的氮氧化硅。金属可包括Ga和In中的至少一者。
主权项:1.一种垂直NAND闪存装置,包括:多个单元阵列,其中,所述多个单元阵列中的每个包括:沟道层;电荷捕获层,在沟道层上;以及多个栅电极,在电荷捕获层上,电荷捕获层包括包含金属的氮氧化硅,并且金属包括Ga和In中的至少一者。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 三星电子株式会社 垂直NAND闪存装置
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