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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
申请日：2024-03-05
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118251003A
主分类号：H10B41/30
分类号：H10B41/30;H01L21/28
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本申请提供一种闪存器件及其制备方法，其中制备方法包括：提供一衬底，衬底上形成有衬垫氧化层和硬掩膜层；形成沟槽；形成浅沟槽隔离结构；去除硬掩膜层；形成浮栅层；研磨去除第一厚度的浮栅层；采用选择性刻蚀工艺刻蚀去除第二厚度的浮栅层和一定厚度的浅沟槽隔离结构以及形成ONO膜层。本申请通过刻蚀选择比的调整，使得刻蚀浅沟槽隔离结构的刻蚀速率大于刻蚀浮栅层的刻蚀速率，以使浅沟槽隔离结构的上表面低于浮栅层的上表面，同时将浮栅层的顶角削平缓，调整为圆角，使得后续沉积的ONO膜层包裹浮栅层的圆角更加均匀，从而使得ONO膜层的整体膜厚更加均匀，变相地降低了电场强度，提高了闪存器件的抗压能力。
主权项：1.一种闪存器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有衬垫氧化层和硬掩膜层；刻蚀所述硬掩膜层、所述衬垫氧化层和部分厚度的衬底，以在所述硬掩膜层、所述衬垫氧化层和部分厚度的衬底中形成有多个沟槽；形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构填充所述沟槽；去除所述硬掩膜层；形成浮栅层，所述浮栅层覆盖所述衬垫氧化层和所述浅沟槽隔离结构；研磨去除第一厚度的所述浮栅层；采用选择性刻蚀工艺刻蚀去除第二厚度的所述浮栅层和一定厚度的所述浅沟槽隔离结构，以使所述浅沟槽隔离结构的上表面低于所述浮栅层的上表面，其中，所述浅沟槽隔离结构的刻蚀速率大于所述浮栅层的刻蚀速率；通过所述选择性刻蚀工艺，相邻的所述浅沟槽隔离结构之间的所述浮栅层的顶角均由尖角调整为圆角；以及形成ONO膜层，所述ONO膜层覆盖所述浮栅层和所述浅沟槽隔离结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 闪存器件及其制备方法
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