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申请/专利权人：威科赛乐微电子股份有限公司
申请日：2020-09-27
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN112326707B
主分类号：G01N23/2251
分类号：G01N23/2251;G01N23/04;G01B15/00
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2021.04.30#实质审查的生效;2021.02.05#公开
摘要：本发明涉及化合物半导体外延薄膜及器件技术领域，公开了一种GaAs基晶圆斜切角度的快速表征方法，包括以下步骤：S1、对GaAs基晶圆沿自然解理面进行分割；S2、沿平行于GaAs基晶圆的衬底表面，并与自然解理面法线一侧呈45°方向，观察并测量解理边与GaAs基晶圆上下表面的夹角，记为θ1；S3、若θ1≠90°，则GaAs基晶圆的斜切角为|90°‑θ1|；S4、若θ1＝90°，则沿平行于GaAs基晶圆衬底表面、与自然解理面法线另一测呈45°方向，观察并测量解理边与晶圆衬底上、下表面的夹角，记为θ2，则GaAs基晶圆的斜切角为|90°‑θ2|。本发明能够简便、准确、直观的对GaAs基晶圆斜切角度进行表征，并适用于经外延、金属、介电薄膜沉积后的完整器件晶圆。
主权项：1.一种GaAs基晶圆斜切角度的快速表征方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、对GaAs基晶圆沿自然解理面进行分割，所述GaAs基晶圆衬底为100取向，斜切方向为110的GaAs单晶衬底；S2、沿平行于GaAs基晶圆的衬底表面，并与自然解理面法线一侧呈45°方向，观察并测量解理边与GaAs基晶圆上下表面的夹角，记为θ1；S3、若θ1≠90°，则GaAs基晶圆的斜切角为|90°-θ1|；S4、若θ1=90°，则沿平行于GaAs基晶圆衬底表面、与自然解理面法线另一测呈45°方向，观察并测量解理边与晶圆衬底上、下表面的夹角，记为θ2，则GaAs基晶圆的斜切角为|90°-θ2|。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 威科赛乐微电子股份有限公司 一种GaAs基晶圆斜切角度的快速表征方法
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