申请/专利权人：苏州法特迪科技股份有限公司

申请日：2023-08-08

公开（公告）日：2024-06-25

公开（公告）号：CN116953485B

主分类号：G01R31/28

分类号：G01R31/28;G01R1/04

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.25#授权;2024.06.14#著录事项变更;2023.11.14#实质审查的生效;2023.10.27#公开

摘要：本发明涉及芯片高温老化测试技术领域，具体为一种高温老化测试插座调节方法，所述调节方法依次执行以下步骤：步骤a，确定芯片压块的下降高度；步骤b，根据芯片压块的下降高度，确定转环的转动角度；步骤c，根据转环转动的角度，确定挡球与挡块的接触点；步骤d，沿转环的径向方向移动挡球；步骤e，沿转环的轴向方向移动挡球；该方法通过改变挡球在转环径向方向的位置，能够使挡球与不同的挡面接触，每个挡面能够限定一个转环转动的角度，从而限定多个转环转动的角度，从而适应多个不同封装的芯片，调节方式简单方便，能够实现快速调节。

主权项：1.一种高温老化测试插座调节方法，应用在一种高温老化测试插座调节结构上，其特征在于，所述的测试插座包括：上盖（1）和转环（2），所述的转环（2）转动连接在上盖（1）上，所述的调节结构包括：挡块（3）和挡球（4），所述的挡块（3）设置在上盖（1）上，所述的挡球（4）设置在转环（2）上，且挡球（4）能够随着所述转环（2）转动，所述的挡块（3）设置在挡球（4）随着转环（2）转动的路径上，并且在挡球（4）与挡块（3）接触后使转环（2）停止转动；所述的挡块（3）靠近挡球（4）的一侧沿所述转环（2）的径向方向设置有若干个挡面，所述的挡球（4）能够沿所述转环（2）的径向移动，使挡球（4）随转环（2）转动时能够与不同的挡面接触，并且若干个所述挡面的设置满足：在挡球（4）由外向内依次与不同的挡面接触时，转环（2）转动的角度依次减小；若干个所述的挡面均为斜面，所述的挡球（4）能够沿所述转环（2）的轴向移动，使挡球（4）随转环（2）转动时能够与任一斜面的不同高度处接触，并且任一挡面的斜面设置均满足：在挡球（4）由低到高依次与斜面的不同位置接触时，转环（2）转动的角度依次增加，且位于外侧的所述斜面的底部与其内侧的斜面的顶部具有重叠区域；所述高温老化测试插座调节方法包括以下步骤：步骤a，确定芯片压块（10）的下降高度；步骤b，根据芯片压块（10）的下降高度，确定转环（2）的转动角度；步骤c，根据转环（2）转动的角度，确定挡球（4）与挡块（3）的接触点；步骤d，沿转环（2）的径向方向移动挡球（4）；步骤e，沿转环（2）的轴向方向移动挡球（4）。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州法特迪科技股份有限公司 一种高温老化测试插座调节方法

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