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用于改善在晶片极端边缘的特征轮廓倾斜的边缘环组件 

申请/专利权人:朗姆研究公司

申请日:2016-08-18

公开(公告)日:2024-06-25

公开(公告)号:CN112216590B

主分类号:H01J37/32

分类号:H01J37/32;H01J37/20;H01L21/67;H01L21/683

优先权:["20150818 US 62/206,753","20160708 US 15/205,253"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.25#授权;2021.01.29#实质审查的生效;2021.01.12#公开

摘要:本发明涉及用于改善在晶片极端边缘的特征轮廓倾斜的边缘环组件,提供了边缘环组件,其包括:配置成围绕静电卡盘ESC的上边缘环,所述ESC具有用于支撑衬底的顶表面和围绕顶表面的环形阶梯,所述环形阶梯限定低于所述顶表面的环形搁板,所述上边缘环被设置在环形搁板的上方;下内边缘环被设置在环形阶梯中的上边缘环的下方并被设置在环形搁板的上方,所述下内边缘环由导电材料限定,所述下内边缘环与所述ESC电绝缘;围绕所述内边缘环的下外边缘环,所述下外边缘环被设置在环形阶梯中的上边缘环的下方并被设置在所述环形搁板上方,下外边缘环由电绝缘材料限定。

主权项:1.用于等离子处理室的边缘环组件,其包括:上边缘环,其被配置成围绕静电卡盘ESC,所述ESC被配置用于与RF电源电连接,所述ESC具有用于支撑衬底的顶表面和围绕所述顶表面的环形阶梯,所述环形阶梯限定低于所述顶表面的环形搁板,所述上边缘环被设置在所述环形搁板的上方,所述上边缘环由电绝缘材料限定;下内边缘环,其被设置在所述环形阶梯中的所述上边缘环的下方并被设置在所述环形搁板上且与所述环形搁板相接触,所述下内边缘环由导电材料限定并且包括绝缘外层,所述下内边缘环与所述ESC电绝缘,所述下内边缘环具有矩形的横截面形状,其中所述下内边缘环的底表面直接接触所述环形搁板,并且所述下内边缘环的侧面邻近并围绕由所述环形阶梯限定的侧壁,下外边缘环,其围绕所述内边缘环,所述下外边缘环被设置在所述环形阶梯中的所述上边缘环的下方并设置在所述环形搁板的上方,所述下外边缘环由电绝缘材料限定。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 朗姆研究公司 用于改善在晶片极端边缘的特征轮廓倾斜的边缘环组件

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