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一种基于mosfet的半导体激光器驱动互补输出电路 

申请/专利权人:美敦宜(山东)医疗器械有限公司

申请日:2023-10-19

公开(公告)日:2024-06-25

公开(公告)号:CN221226815U

主分类号:H01S5/042

分类号:H01S5/042

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.25#授权

摘要:一种基于mosfet的半导体激光器驱动互补输出电路,包括:电源HV、二极管D1、晶体管Q1及晶体管Q2;所述电源HV电性连接电容C1、电容C2、电阻R1及电阻R2的一端;所述电阻R1的另一端及所述电阻R2的另一端分别电性连接所述二极管D1的一端;所述二极管D1的两端分别电性连接所述晶体管Q1及所述晶体管Q2的漏极;所述电容C1及所述电容C2的另一端分别接地;所述晶体管Q1及所述晶体管Q2的源极接地。本实用新型要解决的技术问题是提供一种基于mosfet的半导体激光器驱动互补输出电路,有利于实现提高输出脉冲的质量。

主权项:1.一种基于mosfet的半导体激光器驱动互补输出电路,其特征是,包括:电源HV、二极管D1、晶体管Q1及晶体管Q2;所述电源HV电性连接电容C1、电容C2、电阻R1及电阻R2的一端;所述电阻R1的另一端及所述电阻R2的另一端分别电性连接所述二极管D1的一端;所述二极管D1的两端分别电性连接所述晶体管Q1及所述晶体管Q2的漏极;所述电容C1及所述电容C2的另一端分别接地;所述晶体管Q1及所述晶体管Q2的源极接地。

全文数据:

权利要求:

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