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申请/专利权人：聚灿光电科技(宿迁)有限公司
申请日：2023-11-22
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN221226253U
主分类号：H01L33/44
分类号：H01L33/44;H01L33/38
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权
摘要：本实用新型公开了一种高亮度的LED芯片，包括衬底，衬底上依次叠设有N‑Gan层、MQWS层和P‑Gan层，P‑Gan层上依次叠设有第一CB层、带有通孔的ITO电流扩散层和P‑PAD，P‑PAD下端穿过通孔与第一CB层连接，N‑Gan层裸露台面上依次叠设有第二CB层和N‑PAD，N‑PAD下端完全覆盖第二CB层并与N‑Gan层裸露台面连接，第一CB层与P‑PAD的贴合面、第二CB层与PAD层相贴合面上均开设有至少一个凹槽。本实用新型在CB层表面开设凹槽，有效增加了PAD下的CB面积，利用CB与金属结合的散射性能达到增加出光的目的，从而达到在CB与GaN接触面积不变的情况下，提高亮度的效果。
主权项：1.一种高亮度的LED芯片，包括衬底，衬底上依次叠设有N-Gan层、MQWS层和P-Gan层，其特征在于：所述P-Gan层上依次叠设有第一CB层、带有通孔的ITO电流扩散层和P-PAD，所述P-PAD下端穿过通孔与第一CB层连接，所述N-Gan层裸露台面上依次叠设有第二CB层和N-PAD，所述N-PAD下端完全覆盖第二CB层并与N-Gan层裸露台面连接，所述第一CB层与P-PAD的贴合面、第二CB层与PAD层相贴合面上均开设有至少一个凹槽。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 聚灿光电科技(宿迁)有限公司 一种高亮度的LED芯片
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