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申请/专利权人：斯达半导体股份有限公司
申请日：2023-11-07
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN221226221U
主分类号：H01L23/495
分类号：H01L23/495;H01L23/31
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权
摘要：本实用新型公开了一种避免键合线歪斜的智能功率模块封装结构，属于半导体技术领域；包括，引线框架，引线框架包括第一连接部和第二连接部；基板，基板的上表面连接第二连接部；驱动芯片，连接第一连接部，驱动芯片与第一连接部之间通过键合线连接；功率芯片，连接基板的上表面，驱动芯片、第二连接部与功率芯片之间通过键合线连接。上述技术方案的有益效果是：由于采用以上技术方案，避免了智能功率模块在制造过程中出现键合线歪斜的隐患，有效防止键合线塌断，提高生产良率。
主权项：1.一种避免键合线歪斜的智能功率模块封装结构，其特征在于，包括，引线框架1，所述引线框架1包括第一连接部和第二连接部；基板6，所述基板6的上表面连接所述第二连接部；驱动芯片2，连接所述第一连接部，所述驱动芯片2与所述第一连接部之间通过键合线3连接；功率芯片4，连接所述基板6的上表面，所述驱动芯片2、所述第二连接部与所述功率芯片4之间通过所述键合线3连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 斯达半导体股份有限公司 一种避免键合线歪斜的智能功率模块封装结构
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