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申请/专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要：本发明公开了一种具有p型半导体场板的增强型场效应晶体管及其制备方法。具有p型半导体场板的增强型场效应晶体管包括外延结构、MIS栅极结构以及源极、漏极，外延结构包括至少一异质结，异质结内具有载流子沟道，外延结构的栅极区域设置有栅极凹槽，载流子沟道被栅极凹槽隔断；MIS栅极结构包括p型半导体结构层、栅介质层、栅极和p型半导体场板，当向栅极施加正向电压时，p型半导体结构层内反型产生电子，位于栅极凹槽两侧的载流子沟道经电子电连接；p型半导体场栅极与漏极之间，在关态下，增强型场效应晶体管内部的电场被p型半导体场板束缚在p型半导体场板与漏极之间的区域。该具有p型半导体场板的增强型FET具有更高的可调节阈值电压。
主权项：1.一种具有p型半导体场板的增强型场效应晶体管，包括外延结构、MIS栅极结构以及源极、漏极，所述外延结构包括至少一异质结，所述异质结内具有载流子沟道，所述源极、所述漏极分别对应设置在所述外延结构的源极区域、漏极区域且与所述载流子沟道电连接，所述外延结构的栅极区域设置有栅极凹槽，所述载流子沟道被所述栅极凹槽隔断；其特征在于：所述MIS栅极结构包括p型半导体结构层、栅介质层、栅极和p型半导体场板，所述p型半导体结构层、所述栅介质层、所述栅极沿所述外延结构的纵向依次层叠设置并形成栅极堆栈结构，其中，所述p型半导体结构层完全设置在栅极区域，并且，所述p型半导体结构层至少设置在所述栅极凹槽内，所述栅极堆栈结构对所述载流子沟道的调控具有场效应，当向所述栅极施加正向电压时，所述p型半导体结构层内反型产生电子，位于所述栅极凹槽两侧的所述载流子沟道经所述电子电连接；所述p型半导体场板设置在所述外延结构上且位于对应设置在所述栅极与所述漏极之间，所述p型半导体场板与所述p型半导体结构层连接而与所述漏极间隔设置，当所述增强型场效应晶体管处于关态时，所述增强型场效应晶体管内部的电场被所述p型半导体场板束缚在所述p型半导体场板与所述漏极之间的区域。
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