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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：公开了一种半导体装置和一种电子系统。该半导体装置包括：堆叠结构，其位于衬底上并且包括交替地堆叠的栅电极和绝缘层；第一穿通过孔件，其延伸通过堆叠结构；以及第二穿通过孔件，其与第一穿通过孔件间隔开，其中，第二穿通过孔件延伸通过堆叠结构，其中，第二穿通过孔件电连接到第一栅电极，第一栅电极为栅电极之中的在竖直方向上距衬底最远的栅电极，其中，栅极焊盘位于第一栅电极上并且接触第一栅电极，并且第一穿通过孔件包括：竖直图案；从竖直图案突出的第一突出部和第二突出部，其中，第一突出部在水平方向上与第一栅电极的一部分重叠；以及第二突出部，其在水平方向上与第二栅电极重叠，其中，第二栅电极与第二穿通过孔件间隔开。
主权项：1.一种半导体装置，包括：衬底；堆叠结构，其位于所述衬底的上表面上，其中，所述堆叠结构包括在垂直于所述衬底的上表面的竖直方向上交替地堆叠的栅电极和绝缘层，并且在截面图中具有台阶结构；栅极焊盘，其位于所述堆叠结构上；第一穿通过孔件，其在所述竖直方向上延伸通过所述堆叠结构；以及第二穿通过孔件，其在平行于所述衬底的上表面的水平方向上与所述第一穿通过孔件间隔开，其中，所述第二穿通过孔件在所述竖直方向上延伸通过所述堆叠结构，其中，所述第二穿通过孔件电连接到第一栅电极，所述第一栅电极为所述栅电极之中的在所述竖直方向上距所述衬底的上表面最远的栅电极，其中，所述栅极焊盘位于所述第一栅电极上，并且与所述第一栅电极接触，并且其中，所述第一穿通过孔件包括：竖直图案；第一突出部，其从所述竖直图案突出，其中，所述第一突出部在所述水平方向上延伸，并且在所述水平方向上与所述第一栅电极的至少一部分重叠；以及第二突出部，其从所述竖直图案突出，其中，所述第二突出部在所述水平方向上延伸，并且在所述水平方向上与第二栅电极重叠，其中，所述第二栅电极位于所述第一栅电极与所述衬底的上表面之间，并且与所述第二穿通过孔件间隔开。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 半导体装置和包括该半导体装置的电子系统
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