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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日：2024-04-01
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118264233A
主分类号：H03K17/08
分类号：H03K17/08;H03K17/687;H03K19/00;H03K19/20
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本公开提出一种高边NMOS管输出保护电路、芯片及电子设备，涉及电路技术领域，包括依次相连接的保护电路、分压电路、启动使能电路、电流生成电路、比较器电路和保护输出电路，分压电路用于根据分压电阻生成第一比较电压和第二比较电压；启动使能电路用于根据自举升压电压和输入引脚的反馈电压之间的电压差，产生使能信号；电流生成电路用于在启动使能电路进入工作状态的情况下，为比较器电路提供第一电流值；比较器电路用于根据第一比较电压和第二比较电压的比较结果，控制比较器输出电压。实现了电源的高边NMOS管过流保护功能，提高了芯片的可靠性，实现了芯片的休眠状态的低功耗运行，延长了智能高侧开关电路的寿命。
主权项：1.一种高边NMOS管输出保护电路，其特征在于，包括依次相连接的保护电路、分压电路、启动使能电路、电流生成电路、比较器电路和保护输出电路，其中，所述保护电路的一侧连接连接自举升压电压，另一侧连接输入引脚的反馈电压，所述分压电路用于根据分压电阻生成第一比较电压和第二比较电压；所述启动使能电路用于根据所述自举升压电压和所述输入引脚的反馈电压之间的电压差，产生使能信号；所述电流生成电路用于在所述启动使能电路进入工作状态的情况下，为所述比较器电路提供第一电流值；所述比较器电路用于根据所述第一比较电压和第二比较电压的比较结果，控制比较器输出电压；所述保护输出电路用于在所述比较器输出电压变为低电平的情况下，拉低所述自举升压电压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院半导体研究所 高边NMOS管输出保护电路、芯片及电子设备
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