申请/专利权人：友达光电股份有限公司

申请日：2021-09-28

公开（公告）日：2024-06-28

公开（公告）号：CN113889576B

主分类号：H10K10/80

分类号：H10K10/80;H10K10/46

优先权：["20210125 TW 110102624"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.28#授权;2022.01.21#实质审查的生效;2022.01.04#公开

摘要：本发明提出一种有机半导体基板。有机半导体基板包括基底、第一导电图案、第二导电图案、第一金属氧化物图案、第二金属氧化物图案、有机平坦图案层、源极、漏极、有机半导体图案、有机栅绝缘层及栅极。第一导电图案及第二导电图案设置于基底上且彼此分离。第一金属氧化物图案及第二金属氧化物图案分别覆盖且分别电性连接至第一导电图案及第二导电图案。有机平坦图案层的第一部设置于第一金属氧化物图案与第二金属氧化物图案之间。第一金属氧化物图案的表面与基底具有第一距离。有机平坦图案层的第一部的表面与基底具有第二距离。第二距离小于或等于第一距离。

主权项：1.一种有机半导体基板，包括：一基底；一第一导电图案及一第二导电图案，设置于该基底上，且彼此分离；一第一金属氧化物图案及一第二金属氧化物图案，分别覆盖该第一导电图案及该第二导电图案，且分别电性连接至该第一导电图案及该第二导电图案；一有机平坦图案层，具有一第一部，其中该有机平坦图案层的该第一部设置于该第一金属氧化物图案与该第二金属氧化物图案之间，该第一金属氧化物图案具有背向该基底的一表面，该第一金属氧化物图案的该表面与该基底具有一第一距离，该有机平坦图案层的该第一部具有背向该基底的一表面，该有机平坦图案层的该第一部的该表面与该基底具有一第二距离，且该第二距离小于或等于该第一距离；一源极与一漏极，彼此分离，其中该源极与该漏极分别设置于该第一金属氧化物图案与该第二金属氧化物图案上，且分别电性连接至该第一金属氧化物图案与该第二金属氧化物图案；一有机半导体图案，设置于该源极、该漏极及该有机平坦图案层的该第一部上，其中该有机半导体图案的两区分别电性连接至该源极与该漏极；一有机栅绝缘层，设置于该有机半导体图案上；以及一栅极，设置于该有机栅绝缘层上；一第三导电图案，设置于该基底上，且与该第一导电图案及该第二导电图案分离；一第三金属氧化物图案，与该第一金属氧化物图案及该第二金属氧化物图案分离，覆盖且电性连接至该第三导电图案；以及一像素电极，电性连接至该漏极，且重叠于该第三导电图案，其中该第三导电图案于该基底上的一垂直投影位于该第三金属氧化物图案于该基底上的一垂直投影以内。

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权利要求：

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