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申请/专利权人：长鑫存储技术(上海)有限公司
申请日：2020-02-24
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN113299336B
主分类号：G11C29/44
分类号：G11C29/44
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2021.09.10#实质审查的生效;2021.08.24#公开
摘要：本公开提供了一种修复电路、存储器和修复方法，涉及半导体存储器技术领域。修复电路配置于包括正常存储区域和冗余存储区域的存储器中，冗余存储区域包括与正常存储区域紧邻的目标修复单元，修复电路用于控制目标修复单元对正常存储区域中异常存储单元进行修复，该修复电路包括：第一控制电路，用于接收行地址中由低到高目标数量位的信号，对目标数量位的信号进行处理，得到控制结果并输出；其中，目标数量与目标修复单元中字线数量相关联；修复确定模块，与第一控制电路的输出端连接，用于接收控制结果，并结合控制结果输出是否执行修复操作的修复信号。本公开可以提高存储器的冗余存储区域的利用率。
主权项：1.一种修复电路，配置于包括正常存储区域和冗余存储区域的存储器中，其特征在于，所述冗余存储区域包括与所述正常存储区域紧邻的目标修复单元，所述目标修复单元中紧邻所述正常存储区域的第一根字线不参与修复，所述修复电路用于控制所述目标修复单元对所述正常存储区域中异常存储单元进行修复，所述修复电路包括：第一控制电路，用于接收行地址中由低到高目标数量位的信号，对所述目标数量位的信号进行处理，得到控制结果并输出；其中，所述目标修复单元中字线数量为2n，所述目标数量为n，n为大于等于2的正整数；修复确定模块，包括：比较电路，用于接收所述行地址中除所述目标数量位的信号之外其余位的信号，并接收熔丝地址，按位对所述其余位的信号与所述熔丝地址进行比较，得到多个比较结果并输出；第二控制电路，与所述第一控制电路的输出端和所述比较电路的输出端连接，用于接收所述控制结果和所述多个比较结果，对所述控制结果和所述多个比较结果进行处理，输出是否执行修复操作的修复信号。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术(上海)有限公司 修复电路、存储器和修复方法
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