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申请/专利权人：迈络思科技有限公司
申请日：2020-09-29
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN112600073B
主分类号：H01S5/187
分类号：H01S5/187;H01S5/183
优先权：["20191001 US 16/589,534"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2021.04.23#实质审查的生效;2021.04.02#公开
摘要：提供了一种垂直腔面发射激光器VCSEL。VCSEL包括设置在基板上的台面结构。所述台面结构包括第一反射器、第二反射器，以及设置在所述第一反射器和第二反射器之间的有源腔材料结构。所述第二反射器具有从所述第二反射器的第二表面延伸至所述第二反射器预定深度的开口。蚀刻到所述第二反射器中至所述预定深度减少了光子寿命和VCSEL的阈值增益，同时增加了调制带宽并保持了所述第二反射器的高反射率。因此，将所述第二反射器蚀刻至所述预定深度可以改善所述VCSEL的超调控制、更宽的调制带宽和更快的脉冲，使得所述VCSEL可以提供具有受控超调的高速、高带宽信号。
主权项：1.一种垂直腔面发射激光器VCSEL，包括：设置在基板上的台面结构，所述台面结构包括：第一反射器，所述第一反射器在与所述VCSEL的发射方向基本平行的方向上具有第一深度；第二反射器，所述第二反射器在与所述VCSEL的发射方向基本平行的方向上具有第二深度并且具有定义一个或多个氧化剖面直径的氧化剖面，有源腔材料结构，所述有源腔材料结构设置在所述第一反射器和所述第二反射器之间，介电盖层，所述介电盖层设置在所述第二反射器的与所述有源腔材料结构相对的表面上，以及触点，所述触点设置在所述介电盖层上并定义所述VCSEL的发射孔，其特征在于发射孔的孔径，其中所述介电盖层和所述第二反射器包括开口，所述开口从所述VCSEL的预蚀刻的第二表面延伸穿过所述介电盖层并在与所述VCSEL的发射方向基本平行的方向上进入所述第二反射器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 迈络思科技有限公司 具有受控超调的高速高带宽垂直腔面发射激光器
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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