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一种高Qm的<111>取向四元织构陶瓷及其三步烧结制备方法 

申请/专利权人:哈尔滨工业大学

申请日:2023-02-19

公开(公告)日:2024-06-28

公开(公告)号:CN116332642B

主分类号:C04B35/493

分类号:C04B35/493;C04B35/472;C04B35/622;C04B41/88;H10N30/853;H10N30/097

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.28#授权;2023.07.14#实质审查的生效;2023.06.27#公开

摘要:本发明提供一种高Qm的111取向四元织构陶瓷及其三步烧结制备方法,属于压铁电材料领域,该织构陶瓷的化学通式为0.36‑xPbNi13Nb23O3‑xPbMn13Nb23O3‑0.64PbZryTi1‑yO3‑avol.%111BaTiO3,具体制备方法:一、制备四元铅基陶瓷纳米细晶基体粉体;二、采用模板晶粒定向生长技术制备四元铅基织构陶瓷素坯;三、制备高机械品质因数Qm的四元铅基织构陶瓷。本发明制备高机械品质因数的111取向四元织构陶瓷的机械品质因数Qm要高于四元铅基未织构压电陶瓷。以解决现有技术下111取向四元复杂铅基织构陶瓷体系难以制备烧结,机械品质因数Qm低的问题。

主权项:1.一种高Qm的111取向四元织构陶瓷,其特征在于:所述织构陶瓷的化学通式为:0.36-xPbNi13Nb23O3-xPbMn13Nb23O3-0.64PbZryTi1-yO3-avol.%111BaTiO3,其中0x≤0.1,0≤y≤1,0a≤10;所述织构陶瓷由沿[111]c择优方向的晶粒组成,择优取向度为70%以上,机械品质因数Qm达1200,是陶瓷晶粒随机取向的1.45倍;所述织构陶瓷的制备方法,按以下步骤完成:步骤一、制备四元铅基陶瓷纳米细晶基体粉体;步骤二、采用模板晶粒定向生长技术制备四元铅基织构陶瓷素坯;步骤三、制备高机械品质因数Qm的四元铅基织构陶瓷;1、在空气气氛中,将步骤二得到的四元铅基织构陶瓷素坯置于高温炉中,以同组分过筛后细料埋粉进行固相烧结,以3℃min~10℃min的升温速率,将高温炉由室温升温至1000℃~1150℃,保温5min~3h,之后,在升温速率为2℃min~5℃min的条件下,将温度升温到1270℃~1300℃,保温1min~10min,然后以5℃min~20℃min降温速率降至1000℃~1260℃,保温1h~6h,保温结束后以5℃min~10℃min的降温速率降至500℃~800℃,然后随炉冷却,降到室温;2、将烧结后陶瓷片的上下两表面进行打磨、抛光、超声清洗、烘干,然后将导电银浆均匀涂覆在陶瓷片两表面,然后进行烧银;3、将烧银后的样品放在硅油中,进行高温直流极化,得到高机械品质因数Qm的四元铅基织构陶瓷。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 哈尔滨工业大学 一种高Qm的<111>取向四元织构陶瓷及其三步烧结制备方法

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