申请/专利权人：中国科学技术大学

申请日：2024-04-02

公开（公告）日：2024-06-28

公开（公告）号：CN117969604B

主分类号：G01N27/00

分类号：G01N27/00;G01T1/18;G01T5/02;B81C1/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.28#授权;2024.05.21#实质审查的生效;2024.05.03#公开

摘要：本公开提供一种低物质量圆柱形微结构气体探测器及其制备方法，该制备方法包括：操作S10：制备面电阻率不高于0.25Ω□的柔性低物质量电极基材；操作S20：制备柔性放大单元和读出电极单元；操作S30：基于内筒辅助结构和所述低物质量电极基材、柔性放大单元、读出电极单元制备内筒探测器电极组件；操作S40：基于外筒辅助结构和所述低物质量电极基材制备外筒漂移电极组件；以及操作S50：基于内筒辅助结构和外筒辅助结构将内筒探测器电极组件和外筒漂移电极组件进行组装，并进行电气连接及固定密封，完成气体探测器的制备。

主权项：1.一种低物质量圆柱形微结构气体探测器的制备方法，包括：操作S10：制备面电阻率不高于0.25Ω□的柔性低物质量电极基材；操作S20：制备柔性放大单元和读出电极单元；操作S30：基于内筒辅助结构和所述低物质量电极基材、柔性放大单元、读出电极单元制备内筒探测器电极组件；操作S40：基于外筒辅助结构和所述低物质量电极基材制备外筒漂移电极组件；以及操作S50：基于内筒辅助结构和外筒辅助结构将内筒探测器电极组件和外筒漂移电极组件进行组装，并进行电气连接及固定密封，完成气体探测器的制备；操作S10包括：在聚酰亚胺薄膜上制备第一过渡层；在所述第一过渡层上制备第一复合共掺层；在所述第一复合共掺层上制备导电贡献层；在所述导电贡献层上制备第二复合共掺层；在所述第二复合共掺层上制备第二过渡层；在所述第二过渡层上制备第三复合共掺层；以及在所述第三复合共掺层上制备DLC保护层；操作S30包括：将一侧镀有低物质量电极基材的聚酰亚胺薄膜均匀包裹于内筒辅助结构外，低物质量电极一侧朝内；在聚酰亚胺外侧粘贴PMI泡沫板；将柔性读出电极单元包裹设置于PMI泡沫板外侧；以及将柔性放大单元包裹设置于读出电极单元外侧，完成内筒探测器电极组件的制备；操作S40包括：将一侧镀有低物质量电极的聚酰亚胺薄膜裹于外筒辅助结构外，低物质量电极一侧朝内；在聚酰亚胺薄膜外侧粘贴PMI泡沫板；以及在PMI泡沫板外侧粘贴镀有低物质量电极基材的聚酰亚胺薄膜，低物质量电极一侧朝外，并使用导电胶将低物质量电极与两侧外筒辅助结构粘接，完成外筒漂移电极组件的制备。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学技术大学 低物质量圆柱形微结构气体探测器及其制备方法

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