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一种发光二极管外延片、制备方法及LED芯片 

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申请/专利权人:江西兆驰半导体有限公司

摘要:本发明提供了一种发光二极管外延片、制备方法及LED芯片,发光二极管外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型GaN层、有源层、P型层,有源层包括N个周期性交替生长的Si掺杂的氮极性AlGaN量子垒层和InGaN量子阱层,沿生长方向各氮极性AlGaN量子垒层的Si掺杂浓度、禁带宽度、层厚逐层递减,其中,Si掺杂浓度与层厚的数值比值为0.5~7,层厚与禁带宽度的数值比值为2~3。本发明先通过在GaN基发光二极管外延片中提高电子的势垒高度,降低空穴的势垒高度,能够减小电子的泄露,提高空穴向有源层的注入效率,从而提高内量子效率和提高抗静电能力。

主权项:1.一种发光二极管外延片,其特征在于,所述发光二极管外延片包括:衬底;依次层叠在所述衬底上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型GaN层、有源层、P型层;所述有源层包括N个周期性交替生长的Si掺杂的氮极性AlGaN量子垒层和InGaN量子阱层,沿生长方向各所述氮极性AlGaN量子垒层的Si掺杂浓度、禁带宽度、层厚逐层递减;其中,所述氮极性AlGaN量子垒层的Si掺杂浓度取值范围为5×1016atomscm3~1×1017atomscm3,所述氮极性AlGaN量子垒层的组分包括Sc、B,且Si掺杂浓度与层厚的数值比值为0.5~7,层厚与禁带宽度的数值比值为2~3。

全文数据:

权利要求:

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