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申请/专利权人：西北工业大学
摘要：本发明涉及一种基于钙钛矿单晶衬底与二维材料沟道的CMOSFinFET器件及其制备方法，制备方法包括：选取钙钛矿单晶衬底层；刻蚀钙钛矿单晶衬底层形成第一Fin和第二Fin；在钙钛矿单晶衬底层上制备绝缘层，且暴露第一Fin和第二Fin的顶面和部分侧面；在第一Fin上制备电子沟道传输层；在第二Fin上制备空穴沟道传输层；在电子沟道传输层和空穴沟道传输层上均制备源极和漏极；在电子沟道传输层上的源极、漏极之间的沟道和在空穴沟道传输层上的源极、漏极之间的沟道上制备栅介质层；在栅介质层上制备栅极。本发明所制备的CMOSFinFET具有材料成本低、开关比大、开关速度快、光电转换效率高、响应光谱宽、载流子迁移率高、栅控能力强以及光电双控功能的特点。
主权项：1.一种基于钙钛矿单晶衬底与二维材料沟道的CMOSFinFET的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：选取钙钛矿单晶衬底层100；刻蚀所述钙钛矿单晶衬底层100形成第一Fin102和第二Fin103；在所述钙钛矿单晶衬底层100上制备绝缘层104，且暴露所述第一Fin102和所述第二Fin103的顶面和部分侧面；在所述第一Fin102上制备电子沟道传输层106；在所述第二Fin103上制备空穴沟道传输层108；在所述电子沟道传输层106和所述空穴沟道传输层108上均制备源极和漏极；在所述电子沟道传输层106上的所述源极、所述漏极之间的沟道和在所述空穴沟道传输层108上的所述源极、所述漏极之间的沟道上制备栅介质层109；在所述栅介质层109上制备栅极110。
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百度查询： 西北工业大学 基于钙钛矿单晶衬底与二维材料沟道的CMOS FinFET器件及其制备方法
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