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申请/专利权人：贵州师范大学;晋城市光机电产业协调服务中心(晋城市光机电产业研究院)
摘要：本发明公开了一种纳米尺度空气沟道器件的制备工艺，涉及纳米尺度空气沟道器件技术领域，其技术方案要点是：该方法具体包括在硅衬底淀积介质层1、图形化后，干法刻蚀形成凹槽、淀积介质层2、淀积发射金属、采用湿法刻蚀形成沟道等5个步骤。通过预先淀积湿法刻蚀选择比不同的介质层的方法，以缓解现有技术中刻蚀终点难以把握，导致过刻蚀或者未完全刻蚀导致影响器件性能的问题。
主权项：1.一种纳米尺度空气沟道器件的制备工艺，其特征是：包括以下5个步骤：S1.在硅衬底淀积介质层1；S2.图形化后，干法刻蚀形成凹槽；S3.淀积介质层2；S4.淀积发射金属；S5.采用湿法刻蚀形成沟道。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 贵州师范大学 晋城市光机电产业协调服务中心(晋城市光机电产业研究院) 一种纳米尺度空气沟道器件的制备工艺
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