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一种基于微沟道的MEMS电化学振动传感器敏感电极及其制造方法 

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申请/专利权人:中国科学院空天信息创新研究院

摘要:本发明公开了一种基于微沟道的MEMS电化学振动传感器敏感电极及其制造方法,涉及MEMS传感器技术领域、振动测量技术领域、流体力学技术领域、以及电化学增益器技术领域,该电极包括基底、流孔、微沟道、绝缘层、阳极和阴极;本发明在流孔旁包围一圈设置深的微沟道以实现侧壁阴极和表面阳极的绝缘。MEMS加工过程中同时刻蚀流孔和微沟道,无需后续工艺再度制作阴阳极绝缘部分的掩膜,并且省去了溅射金属后的剥离步骤,大大简化了工艺。同时微沟道的宽度即是阴阳极间距,可以突破干膜掩膜的20μm的分辨率极限,实现微米级可控的阴阳极间隔,增大阴阳极间离子浓度梯度进而提高灵敏度。

主权项:1.一种基于微沟道的MEMS电化学振动传感器敏感电极,其特征在于:包括基底、流孔、微沟道、绝缘层、阳极和阴极;所述基底具有彼此相反的第一表面和第二表面,所述流孔贯穿形成于所述基底于基底的截面形成侧壁;所述微沟道以包围所述流孔的方式形成于所述基底的第一表面,且不贯穿基底,所述微沟道具有底面、以及相对的外侧壁和内侧壁;所述绝缘层形成于基底的全部表面上,具体地,所述绝缘层形成于所述基底的第一表面和第二表面,并且形成于所述流孔的侧壁,并且形成于所述微沟道的底面、外侧壁和内侧壁;所述阳极,形成于所述基底位于所述微沟道外侧的第一表面和所述微沟道的外侧壁的绝缘层上;所述阴极,形成于所述基底的第二表面、所述基底位于所述微沟道内侧的第一表面、所述微沟道的内侧壁和所述流孔的侧壁的绝缘层上。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国科学院空天信息创新研究院 一种基于微沟道的MEMS电化学振动传感器敏感电极及其制造方法

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