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申请/专利权人：上海应用技术大学
摘要：本发明公开了一种低噪音自供电InAs探测器及其制备方法，包括：将InAs粉末置于管式炉中，利用化学气相沉积法在云母衬底上生长InAs二维单晶材料；将InAs二维单晶材料转移至目标衬底上；在InAs二维单晶材料上制备金属电极，获得InAs探测器。本发明方法制备的InAs探测器为肖特基势垒型光伏探测器，势垒在半导体表面形成，光生载流子直接在势垒区内，载流子扩散时间短，复合损失低，器件具有更快的响应度和更高的灵敏度。此外，本发明中的InAs探测器克服了现有技术中探测器的暗电流高、功耗大的问题，具有低噪音、自供电的特点，且本发明方法不需要进行n或p掺杂，工艺简单、生产成本较低。
主权项：1.一种低噪音自供电InAs探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1将InAs粉末置于管式炉中，利用化学气相沉积法在云母衬底上生长InAs二维单晶材料；2将所述InAs二维单晶材料转移至目标衬底上；3在所述InAs二维单晶材料上制备金属电极，获得InAs探测器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海应用技术大学 一种低噪音自供电InAs探测器及其制备方法
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