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申请/专利权人：长春理工大学重庆研究院;长春理工大学
摘要：本发明公开了一种InAs‑GaAs量子点材料及其制备方法，该InAs‑GaAs量子点材料包括依次层叠的GaAs衬底层、GaAs缓冲层和InAs量子点层；制备方法包括以下步骤：1于外延生长装置中，对GaAs衬底进行原位退火处理；2在GaAs衬底上沉积GaAs缓冲层；3降温至InAs量子点的生长温度，通入Ⅲ族源和Ⅴ族源，沉积InAs量子点；生长温度为435～480℃；ⅤⅢ比为5～335；沉积量为1.8～2.7ML；沉积的速率为0.023～0.277MLs。本发明采用S‑K自组装生长模式，通过调整生长速率、ⅤⅢ比、生长温度等参数，得到了高质量、高面密度的InAs‑GaAs量子点材料。
主权项：1.一种InAs-GaAs量子点材料的制备方法，其特征在于，所述InAs-GaAs量子点材料包括依次层叠的GaAs衬底层、GaAs缓冲层和InAs量子点层；所述制备方法包括以下步骤：1于外延生长装置中，对GaAs衬底进行原位退火处理；2在GaAs衬底上沉积GaAs缓冲层；3降温至InAs量子点的生长温度，通入Ⅲ族源和Ⅴ族源，沉积InAs量子点；所述生长温度为435～480℃；ⅤⅢ比为5～335；所述沉积量为1.8～2.7ML；所述沉积的速率为0.023～0.277MLs。
全文数据：
权利要求：
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