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申请/专利权人：西安理工大学
摘要：本发明公开了GaAs基高集成异质透反射重构器件：1、选取GaAs基片和蓝宝石衬底，键合形成GaAs基衬底；2、在GaAs基衬底顶层的GaAs区内设置深槽隔离区；3、刻蚀GaAs区形成P型沟槽和N型沟槽；4、采用离子注入分别形成P型有源区和N型有源区；5、在GaAs基衬底上形成合金引线，得到基于固态等离子体的高集成异质透反射重构器件。本发明还公开了上述方法制备的GaAs基高集成异质透反射重构器件及其应用。本发明提供的GaAs基高集成异质透反射重构器件的制备方法，解决了只能实现单一的透射或反射功能及通过加载有源组件实现电磁波调控不能完全满足信息技术快速发展的需求的问题。
主权项：1.GaAs基高集成异质透反射重构器件的制备方法，其特征在于，具体过程如下：步骤1、选取GaAs基片和蓝宝石衬底，键合形成GaAs基衬底；步骤2、在所述GaAs基衬底顶层的GaAs区内设置深槽隔离区；步骤3、刻蚀所述GaAs区形成P型沟槽和N型沟槽，所述P型沟槽和N型沟槽的深度均小于顶层GaAs区的厚度；步骤4、在所述P型沟槽和N型沟槽内采用离子注入分别形成P型有源区和N型有源区；步骤5、在所述GaAs基衬底上形成合金引线，得到基于固态等离子体的高集成异质透反射重构器件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安理工大学 GaAs基高集成异质透/反射重构器件、制备方法及其应用
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