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申请/专利权人：南京信光半导体科技有限公司
摘要：本发明公开了一种高密度高均匀性InAsGaAs量子点的分子束外延制备方法，该量子点生长方式分为三个步骤：低温低速、高温高速和高温低速。本发明与现有技术相比的优点在于：这种生长方法相较与传统的Stranski‑KrastanovSK模式生长方法很大幅度的提升了量子点的密度，同时也解决了传统量子点高密度与高均匀性相互制约的难题。这一套InAsGaAs量子点的生长方法有效提高了InAsGaAs量子点的密度和均匀性。
主权项：1.一种高密度高均匀性InAsGaAs量子点的分子束外延制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：1升温脱氧：将完成除气的GaAs衬底运送到生长室，升温至670℃进行脱氧，此过程RHEED实时监测，脱氧条纹明显之后升温至690℃除气两分钟；2生长缓冲层：衬底温度降到630℃生长300nmGaAs缓冲层，生长速率为0.6μmh，ⅤⅢ比值为15倍；3降温：衬底温度降至480℃，此过程程序设置时间为10分钟，全程开启As保护；4低温低速生长浸润层：低温低速生长形成WettingLayer，采用InAs生长速率为0.005MLs，As压为6E-8Torr，淀积量为1.4ML；5升温：衬底温度升至520℃，此过程程序设置时间为4分钟，全程开启As保护；6高温高速生长高质量的高密度InAs量子点：高温高速生长形成量子点，采用InAs淀积速率为0.1MLs，As压为1E-6Torr，淀积量为1.2ML；7高温低速缓慢淀积使均匀扩散并且成熟：高温低速生长停顿生长使量子点均匀成熟，采用InAs生长速率为0.1MLs，As压为1E-6Torr，生长1秒，停顿5秒，淀积量为0.5ML。
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百度查询： 南京信光半导体科技有限公司 一种高密度高均匀性InAs/GaAs量子点的分子束外延制备方法
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