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申请/专利权人：朗姆研究公司
摘要：高质量的硅氮化物硅氮化物表征为在稀氢氟酸中的低的湿式蚀刻速率以高保形度的方式沉积在具有一或更多个凹陷特征的半导体衬底上。该沉积涉及将该半导体衬底暴露于含硅前体例如，氨基硅烷，以在该衬底上形成该含硅前体的吸附层。接着，在300℃‑750℃的温度和至少约15托例如，15‑30托的压强下，利用在包括N2的处理气体中形成的等离子体对该吸附层进行处理，以将该前体转化为硅氮化物。在同一处理室中，将前体的暴露和硅氮化物的转化重复进行许多沉积循环，直到形成所期望的厚度的保形硅氮化物。在一些实施方案中，经由IR光谱证实所沉积的膜是不含氢的。
主权项：1.一种在半导体衬底上沉积硅氮化物层的方法，所述方法包括：a在沉积处理室中，将所述半导体衬底暴露于不含卤素的含硅前体，以在所述半导体衬底上形成所述含硅前体的吸附层，其中所述含硅前体还包括至少一个氮N原子；以及b在相同的所述处理室中，利用在包含氮N2的处理气体中形成的等离子体对所述半导体衬底进行处理，以将所述含硅前体的所述吸附层转化为硅氮化物，其中从所述含硅前体的所述吸附层到硅氮化物的所述转化是在介于约300℃与约750℃之间的温度和至少约15托的压强下执行。
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